Technologie kontaktów elektrycznych do półprzewodnikowych warstw epitaksjalnych A(III)B(V) stosowanych w detektorach podczerwieni

Nr umowy: POIR.02.03.02-14-0085/19-00
Czas realizacji: 02.12.2019 – 31.05.2021
Koszty całkowite: 473 550,00 PLN
Koszty kwalifikowane: 385 000,00 PLN
Wysokość dofinansowania: 327 250,00 PLN 
Wykonawca: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego

Przedmiotem projektu jest opracowania znacząco ulepszonej, innowacyjnej technologii wytwarzania kontaktów elektrycznych i wdrożenia jej jako etapu produkcji detektorów podczerwieni (IR) bazujących na diodowych strukturach półprzewodnikowych z pierwiastków grupy A(III)B(V) z absorberem InAsSb.
Finalnym rezultatem całego projektu, po wdrożeniu tej technologii do działalności gospodarczej będzie wprowadzenie na rynek rodziny detektorów podczerwieni bazujących na strukturach półprzewodnikowych z pierwiastków grupy A(III)B(V) o parametrach konkurujących z HgCdTe.