Podpisanie umowy o dofinansowanie projektu – istotny element realizacji Strategii

Raport bieżący numer 23/2021 z dnia 24 września 2021 roku.

Zarząd Spółki VIGO System S.A.(„Spółka”, „Emitent”) informuje, iż w dniu 24.09.2021 roku powziął informację o podpisaniu przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju ze Spółką umowy o dofinansowanie projektu badawczego nr umowy: POIR.01.01.01-00-0480/20-00 pt.: „Wytwarzanie sensorów InGaAs ze zintegrowaną elektroniką ASIC na zakres 1.7-2.6 μm” („Projekt”) w ramach konkursu „Szybka Ścieżka”.

Całkowita kwota kosztów kwalifikowanych Projektu wynosi 12 650 098,83 zł, zaś wysokość dofinansowania wynosi 8 520 919,18 zł, co stanowi 67,36 % całkowitych kosztów kwalifikujących się do objęcia wsparciem.

Czas trwania Projektu i dofinansowania zarazem wynosi 36 miesięcy. Realizacja Projektu rozpoczęła się 01.01.2021 r.
Postanowienia umowy przewidują następujące kary umowne:
– zwrot finansowania wraz z odsetkami w przypadku rozwiązania umowy,
– zwrot środków lub wyrażenie zgody na pomniejszenie kolejnych płatności – w przypadkach wskazanych w umowie takich jak wykorzystanie środków niezgodnie z przeznaczeniem lub z naruszeniem procedur, pobraniem dofinansowanie nienależnie lub w nadmiernej wysokości.

Celem projektu jest wprowadzenie na rynek innowacyjnych nowych produktów tzn serii wysokotemperaturowych, zminiaturyzowanych sensorów InGaAs na zakres 1.7–2.6 μm zintegrowanych z dedykowanym układem scalonym ASIC (application specific integrated circuit). Obecnie na rynku detektorów InGaAs nie są oferowane rozwiązania typu podłącz i używaj ( plug and play). W obecnych komercyjnie rozwiązaniach odbiór sygnału z detektora podczerwieni musi zostać przetworzony przez układ elektroniczny, co wymusza po stronie odbiorcy integrację detektora z dedykowaną elektroniką.

VIGO chce wykorzystać swoje doświadczenie w produkcji wzmacniaczy sygnału i zaproponować nową tańszą oraz masową produkcję sensorów InGaAs ze zintegrowanym wzmacniaczem sygnału w ASIC. Przewagą układu ASIC nad konwencjonalną elektroniką jest niezawodność, kompaktowość i trwałość.

W ramach projektu konieczne jest:
-opracowanie procesu produkcji detektorów InGaAs technologią MOCVD (ang. metaloorganic chemical vapour deposition) na podłożach 4” oraz 6”
-opracowanie technologii processingu podłoży 4” oraz 6”
-opracowanie od podstaw dedykowanego układu scalonego ASIC
-opracowanie procesu integracji podłoża z dedykowaną elektroniką oraz obróbka zintegrowanego chipu

Finalny produkt będzie oferowany w masowych ilościach w formie łatwej do montażu w systemie odbiorcy. Odbiorcami produktów InGaAs z ASIC będą producenci systemów pomiarowych (spektroskopia, dalmierze, czujniki cząstek), a w szczególności producenci nowoczesnych urządzeń typu PIC (ang. Photonic integrated circuit), gdzie głównym wymaganiem jest miniaturyzacja komponentów laserowych i detektorowych.
Zwiększanie skali produkcyjnej, zmniejszenie ceny i rozmiaru umożliwi szerszy dostęp do wyspecjalizowanych sensorów na rozwijającym się rynku fotonicznym.

Mając na uwadze wartość uzyskanego dofinansowania Emitent ocenia, iż będzie ono miało istotne znaczenie z punktu widzenia sytuacji finansowej, realizacji strategii i perspektyw rozwoju Emitenta.
Realizacja Projektu jest jednym z kluczowych elementów realizacji założeń Strategii Spółki na lata 2021 – 2026, o której Emitent informował raportem bieżącym nr 12/2021 w dniu 16.06.2021 r.